走査電子顕微鏡①

用　途

試料表面の凹凸や組成を高倍率に観察

原理・特徴

●電子線を絞って試料表面を照射し、跳ね返ってきた二次電子や反射電子を検出して、試料の凹凸や組成を観察する

●電子銃はタングステンフィラメントである

●高感度低真空検出器UVD搭載。バイアス電極によって加速された二次電子と残留ガス分子の衝突によって発生した光を検出することにより、二次電子情報を持った画像やCL情報を取得可能

●STEMホルダーを用いることで、高速スキャンで明視野STEM像が取得可能

主要性能

●二次電子像分解能：

　3.0 nm(加速電圧30kV、WD=5mm、高真空モード)

　15.0 nm(加速電圧1kV、WD=5mm、高真空モード)

●反射電子像分解能：

　4.0 nm(加速電圧30kV、WD=5mm、低真空モ－ド)

●加速電圧：0.3～30 kV

●低真空度設定：6～650Pa

●最大試料寸法：200mm径

●試料ステージ：

　X：0～100mm

　Y：0～50mm

　Z：5～65mm

　R：360°連続

　T：-20°～+90°

最大観察可能範囲：130mm径

最大観察可能高さ：80mm（WD＝10mm）

●高感度低真空検出器（UVD）