クロスセクションポリッシャ
| 機器通称 | CP | 保管場所 | E棟1F計測センター |
|---|---|---|---|
| メーカー | 日本電子(株) | 型式(規格) | IB-19500CP |
概 要
本装置は、ターボ分子ポンプで排気されるチャンバー、オンソース、遮蔽(しゃへい)板保持機構、X-Y移動、角度調整可能な試料ステージ機構等により構成され、試料面上にセットされた遮蔽板にイオンビームを垂直に照射し、イオン照射を受けエッチングされる領域と、遮蔽(しゃへい)板で遮蔽(しゃへい)される領域の境界に沿って断面を形成させる試料作成装置である。
基本性能
- イオン加速電圧：2～8kV
- イオンビーム径半値幅：500μm（加速電圧：8 kV、試料：Si）
- ミリングスピード：500μm/H以上（2時間平均値、加速電圧：8 kV、試料：Si、エッジ距離：100μm）
- 最大搭載試料サイズ：11 mm×10 mm×2 mm（幅×長さ×厚さ）
- 試料移動範囲：X軸±10 mm、Y軸±3 mm
- 試料角度調節範囲：±5°