実験例 その5
pMOSインバータの製作
18.Contact Holeの穴明け
5.と同じ
- Buffer Etch液で穴明け処理する。
- 穴明けの状況は逐次顕微鏡で観察する。
19.Resistのはく離
6.と同じ
- 煮沸したはく離液中で2min間放置する。
- 水、純水で洗浄する。
20.AIの真空蒸着
10-5Torr、30A、30secで行う。
21.PhotoresistのCoat
3.と同じ
- スピナーは1stが1000rpmで4sec、2ndが4000rpmで20sec行う。
- Pre-Bakeは80℃で30min行う。
22.目合わせ（AI配線Pattern Print）
4.と同じ
- 目合わせ装置は使用10min前に水銀ランプの電源を入れること。
- 露光時間は3sec。現像、リンスは各2min行う。
- Post-Bakeは150℃で30min行う。
「失敗の時は6.の処理を行い21.から行う。」
23.リン酸エッチング
AI配線Patternの形成。
24.Resistのはく離
6.と同じ
- 煮沸したはく離液中で2min間放置する。
- 水、純水で洗浄する。
25.AIシンタリング（Ohmic Contact）
- シンタリング炉400℃、使用10min前に窒素ガス（1 L/min）を流しておくこと。
- シンタリングを20min行う。
26.TO-5ヘッダーにマウント
- 完成した試料ウエーハをチップに分割する。
- 窒素ガスを流しながらチップの裏面にAu-SiとSi-Sbの合金を作り、n層のオーム性電極を形成する。
- さらに、TO-5ヘッダー（Header）にマウント（Mount）する。
27.電極配線
金線配ボンディングを行う。
