実験例 その4
pMOSインバータの製作
13.Gateの穴明け
5.と同じ
- Buffer Etch液で穴明け処理する。
- 穴明けの状況は逐次顕微鏡で観察する。
14.Resistのはく離
6.と同じ
- 煮沸したはく離液中で2min間放置する。
- 水、純水で洗浄する。
15.酸化(ドライ酸化)
- 加湿器がOFFの確認をする。
- 酸化炉1200℃で行う。
- 炉の使用10min前に酸素ガス(0.8L/min)を流しておくこと。
- ウエット酸化を1時間23分行う(膜厚成長率 20Å/min)。
16.PhotoresistのCoat
3.と同じ
- スピナーは1stが1000rpmで4sec、2ndが4000rpmで20sec行う。
- Pre-Bakeは80℃で30min行う。
17.目合わせ(Contact Hole Pattern Print)
4.と同じ
- 目合わせ装置は使用10min前に水銀ランプの電源を入れること。
- 露光時間は3sec。現像、リンスは各2min行う。
- Post-Bakeは150℃で30min行う。
「失敗の時は6.の処理を行い、16.から行う。」