実験例 その2

pMOSインバータの製作

1.WaferのCleaning

1. アセトンで表面の汚れを落とす。
2. トリクロロエチレン、アセトン、洗浄液、純水の順に超音波洗浄器で各２min洗浄する。
3. 鏡面を上にして炉芯管の出口上で乾燥する。

2.酸化（ウエット酸化）

1. 酸化炉1200℃,加湿器60℃で行う。
2. 炉の使用10min前に酸素ガス（0.8L/min）を流しておくこと。
3. （３）ウエット酸化を2時間30分行う（膜厚成長率　20Å/min）

「Å：オングストローム 1Å=10-10m=0.1nm=100pm　と定義されている。」

3.PhotoresistのCoat

1. スピナーは1stが1000rpmで4sec、2ndが4000rpmで20sec行う。
2. Pre-Bakeは80℃で30min行う。

4.目合わせ（S-D　Pattern　Print）

1. 目合わせ装置は使用10min前に水銀ランプの電源を入れること。
2. 露光時間は3sec。現像、リンスは各2min行う。
3. Post-Bakeは150℃で30min行う。

「失敗の時は6.の処理を行い3.から行う。」

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