イオンビームスパッタ装置

概要

Arを加速してターゲットにぶつけることでターゲット原子をはじき飛ばし（スパッタし），試料表面に薄膜として堆積させる装置です． マグネトロンスパッタに比べて指向性が高いためリフトオフプロセスに向いています． ターゲットは同時に4つを設置可能で，大気曝露せずに切替え可能なため，in situで多層膜を形成できます． 試料ホルダ―は180°以上の傾斜が可能かつ冷却水によって試料の温度上昇を防ぐことができます． 排気系はターボ分子ポンプとルーツポンプを使用しているためオイルミストの逆流がなくクリーンな環境で製膜できます． また，現在はイオンガンは1機のみですが将来的な拡張として試料ホルダへのビームのための増設や， Ar以外にN₂ガスを導入した反応性スパッタリングも可能な仕様になっています．

仕様