実験例 その3

pMOSインバータの製作

5.S-Dの穴明け

1. Buffer Etch液で穴明け処理する。
2. 穴明けの状況は逐次顕微鏡で観察する。

6.Resistのはく離

1. 煮沸したはく離液中で2min間放置する。
2. 水、純水で洗浄する。

7.PBF液のCoat

1. スピナーは1st500 rpmで4 sec、2ndが3000 rpmで20 sec行う。
2. ベーキングは200℃で20min行う。

8.Boronの拡散

1. 拡散炉1050℃。使用10min前に窒素ガス（１L/min）を流しておくこと。
2. 拡散を30min行う（接合深さ約2.5μm）。

9.Borosilicate Glassの除去

1. 10%HFで除去し、水、純水で洗浄する。

10.酸化（ウエット酸化）

1. 酸化炉1200℃、加湿器60℃で行う。
2. 炉の使用10min前に酸素ガス（0.8L/min）を流しておくこと。
3. ウエット酸化を1時間40分行う（膜厚成長率 20Å/min）。

11.PhotoresistのCoat

3.と同じ

1. スピナーは1stが1000rpmで4sec、2ndが4000rpmで20sec行う。
2. Pre-Bakeは80℃30min行う。

12.目合わせ（Gate Pattern Print）

4.と同じ

1. 目合わせ装置は使用10min前に水銀ランプの電源を入れること。
2. 露光時間は3sec。現像、リンスは各2min行う。
3. Post-Bakeは150℃で30min行う。

「失敗の時は6.の処理を行い、12.から行う。」

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