半導体デバイス
製作実験センター

実験例 その5

pMOSインバータの製作

18.Contact Holeの穴明け

5.と同じ

  1. Buffer Etch液で穴明け処理する。
  2. 穴明けの状況は逐次顕微鏡で観察する。

19.Resistのはく離

6.と同じ

  1. 煮沸したはく離液中で2min間放置する。
  2. 水、純水で洗浄する。

20.AIの真空蒸着

10-5Torr、30A、30secで行う。

21.PhotoresistのCoat

3.と同じ

  1. スピナーは1stが1000rpmで4sec、2ndが4000rpmで20sec行う。
  2. Pre-Bakeは80℃で30min行う。

22.目合わせ(AI配線Pattern Print)

4.と同じ

  1. 目合わせ装置は使用10min前に水銀ランプの電源を入れること。
  2. 露光時間は3sec。現像、リンスは各2min行う。
  3. Post-Bakeは150℃で30min行う。

「失敗の時は6.の処理を行い21.から行う。」

23.リン酸エッチング

AI配線Patternの形成。

24.Resistのはく離

6.と同じ

  1. 煮沸したはく離液中で2min間放置する。
  2. 水、純水で洗浄する。

25.AIシンタリング(Ohmic Contact)

  1. シンタリング炉400℃、使用10min前に窒素ガス(1 L/min)を流しておくこと。
  2. シンタリングを20min行う。

26.TO-5ヘッダーにマウント

  1. 完成した試料ウエーハをチップに分割する。
  2. 窒素ガスを流しながらチップの裏面にAu-SiとSi-Sbの合金を作り、n層のオーム性電極を形成する。
  3. さらに、TO-5ヘッダー(Header)にマウント(Mount)する。

27.電極配線

金線配ボンディングを行う。

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