半導体デバイス
製作実験センター

実験例 その4

pMOSインバータの製作

13.Gateの穴明け

5.と同じ

  1. Buffer Etch液で穴明け処理する。
  2. 穴明けの状況は逐次顕微鏡で観察する。

14.Resistのはく離

6.と同じ

  1. 煮沸したはく離液中で2min間放置する。
  2. 水、純水で洗浄する。

15.酸化(ドライ酸化)

  1. 加湿器がOFFの確認をする。
  2. 酸化炉1200℃で行う。
  3. 炉の使用10min前に酸素ガス(0.8L/min)を流しておくこと。
  4. ウエット酸化を1時間23分行う(膜厚成長率 20Å/min)。

16.PhotoresistのCoat

3.と同じ

  1. スピナーは1stが1000rpmで4sec、2ndが4000rpmで20sec行う。
  2. Pre-Bakeは80℃で30min行う。

17.目合わせ(Contact Hole Pattern Print)

4.と同じ

  1. 目合わせ装置は使用10min前に水銀ランプの電源を入れること。
  2. 露光時間は3sec。現像、リンスは各2min行う。
  3. Post-Bakeは150℃で30min行う。

「失敗の時は6.の処理を行い、16.から行う。」

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