半導体デバイス
製作実験センター

実験例 その3

pMOSインバータの製作

5.S-Dの穴明け

  1. Buffer Etch液で穴明け処理する。
  2. 穴明けの状況は逐次顕微鏡で観察する。

6.Resistのはく離

  1. 煮沸したはく離液中で2min間放置する。
  2. 水、純水で洗浄する。

7.PBF液のCoat

  1. スピナーは1st500 rpmで4 sec、2ndが3000 rpmで20 sec行う。
  2. ベーキングは200℃で20min行う。

8.Boronの拡散

  1. 拡散炉1050℃。使用10min前に窒素ガス(1L/min)を流しておくこと。
  2. 拡散を30min行う(接合深さ約2.5μm)。

9.Borosilicate Glassの除去

  1. 10%HFで除去し、水、純水で洗浄する。

10.酸化(ウエット酸化)

  1. 酸化炉1200℃、加湿器60℃で行う。
  2. 炉の使用10min前に酸素ガス(0.8L/min)を流しておくこと。
  3. ウエット酸化を1時間40分行う(膜厚成長率 20Å/min)。

11.PhotoresistのCoat

3.と同じ

  1. スピナーは1stが1000rpmで4sec、2ndが4000rpmで20sec行う。
  2. Pre-Bakeは80℃30min行う。

12.目合わせ(Gate Pattern Print)

4.と同じ

  1. 目合わせ装置は使用10min前に水銀ランプの電源を入れること。
  2. 露光時間は3sec。現像、リンスは各2min行う。
  3. Post-Bakeは150℃で30min行う。

「失敗の時は6.の処理を行い、12.から行う。」

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